Renesas Electronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1500 V / 4 A 125 W, 3-Pin TO-3PN

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234-7062
Herst. Teile-Nr.:
2SK1835-E
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1500V

Gehäusegröße

TO-3PN

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.9mm

Breite

20.1 mm

Höhe

5mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Silizium-N-Kanal-MOSFET von Renesas Electronics ist für Schalt- und Lastschalteranwendungen geeignet. Er hat eine hohe Unterbrechungsspannung von 1500 V. Er ist auch für Schaltregler geeignet.

Geringer Durchlasswiderstand

Hochgeschwindigkeits-Schalten

Hohe Robustheit

Niedriger Antriebsstrom

Keine sekundäre Unterbrechung

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