Renesas Electronics BEAM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 50 A 50 W, 8-Pin WPAK
- RS Best.-Nr.:
- 234-7152
- Herst. Teile-Nr.:
- RJK0391DPA-00#J5A
- Marke:
- Renesas Electronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 234-7152
- Herst. Teile-Nr.:
- RJK0391DPA-00#J5A
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | WPAK | |
| Serie | BEAM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0029Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, Halogen-Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße WPAK | ||
Serie BEAM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0029Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.85mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, Halogen-Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET von Renesas Electronics ist für Schalt- und Lastschalteranwendungen geeignet. Er hat eine hohe Unterbrechungsspannung von 30 V. Er ist für einen 4,5-V-Gate-Antrieb geeignet.
Hochgeschwindigkeits-Schalten
Niedriger Antriebsstrom
Montage mit hoher Dichte
Geringer Durchlasswiderstand
Pb-frei
Halogenfrei
Verwandte Links
- Renesas Electronics BEAM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 50 A 50 W, 8-Pin WPAK
- Renesas Electronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 40 A 45 W, 4-Pin SOT-669
- Renesas Electronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 25 A 45 W, 4-Pin SOT-669
- Renesas Electronics E/A-Erweiterung Parallel, 24-Kanal, DIP 40
- Renesas Electronics Buck Schaltregler / Ausgang 5V, 50 mA
- Renesas Electronics Taktpuffer 50 MHz Oberfläche SOIC, 8-Pin
- Renesas Electronics ISL6144 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 8 A 1 W, 20-Pin QFN
- Renesas Electronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1500 V / 4 A 125 W, 3-Pin TO-3PN