Renesas Electronics BEAM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 50 A 50 W, 8-Pin WPAK

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Herst. Teile-Nr.:
RJK0391DPA-00#J5A
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

WPAK

Serie

BEAM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0029Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.1mm

Breite

5.9 mm

Höhe

0.85mm

Normen/Zulassungen

Pb-Free, Halogen-Free

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET von Renesas Electronics ist für Schalt- und Lastschalteranwendungen geeignet. Er hat eine hohe Unterbrechungsspannung von 30 V. Er ist für einen 4,5-V-Gate-Antrieb geeignet.

Hochgeschwindigkeits-Schalten

Niedriger Antriebsstrom

Montage mit hoher Dichte

Geringer Durchlasswiderstand

Pb-frei

Halogenfrei

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