Renesas Electronics ISL6144 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 8 A 1 W, 20-Pin QFN
- RS Best.-Nr.:
- 263-0247
- Herst. Teile-Nr.:
- ISL6144IRZA
- Marke:
- Renesas Electronics
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- RS Best.-Nr.:
- 263-0247
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- ISL6144IRZA
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | QFN | |
| Serie | ISL6144 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 20 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 19mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 20mV | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 105°C | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.4mm | |
| Breite | 0.9 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße QFN | ||
Serie ISL6144 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 20 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 19mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 20mV | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 105°C | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.4mm | ||
Breite 0.9 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der MOSFET-Controller von Renesas Electronics bietet einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET in geeigneter Größe, der die Leistungsverteilungseffizienz und -verfügbarkeit beim Austausch einer Leistungs-ORing-Diode in Hochstromanwendungen erhöht. Es besteht außerdem aus einer Rückstromfehlerisolierung.
Offener Ablass, aktiver Fehlerarmer Ausgang
Interne Ladungspumpe
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