Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 44 A 52 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 235-0604
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0803LSATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.544 | CHF.7.72 |
| 50 - 120 | CHF.1.334 | CHF.6.65 |
| 125 - 245 | CHF.1.239 | CHF.6.17 |
| 250 - 495 | CHF.1.145 | CHF.5.71 |
| 500 + | CHF.0.851 | CHF.4.24 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-0604
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0803LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 44A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 6.35 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.49mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 6.35 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.49mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOSTM5-Leistungstransistor arbeitet mit 100 V und einem Ablassstrom von 4 A. Das OptiMOSTM5-Portfolio von Infineon richtet sich an USB-PD- und Adapteranwendungen. Die Produkte bieten schnelle Aufwärtsregler und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOSTM-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer BOM-Kostenreduzierung führt. OptiMOSTM PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.
Optimiert für leistungsstarke SMPS
100 % Avalanche-geprüft
Überlegener Wärmewiderstand
N-Kanal, Logikpegel
Bleifreie Kabelbeschichtung; RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
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