ROHM QH8MC5 Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT-8

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RS Best.-Nr.:
235-2673
Herst. Teile-Nr.:
QH8MC5TCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TSMT-8

Serie

QH8MC5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

91mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.9mm

Länge

3.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

850μm

Automobilstandard

Nein

The ROHM dual N channel and P channel MOSFET which supports 60V withstand voltage. This is designed for 24V input equipment's such as factory automation equipment's, and motors mounted on base stations. By combining the optimum N channel + P channel, reduces the design efforts. It also contributes to lower power consumption of equipment.

Low on-resistance

Small surface mount package

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen Free

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