ROHM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 70 A 770 W, 3-Pin R6070JNZ4C13

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Herst. Teile-Nr.:
R6070JNZ4C13
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

58mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

165nC

Maximale Verlustleistung Pd

770W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

16.24mm

Breite

2.71 mm

Höhe

21.25mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET Rohm PrestoMOS mit schneller Rückstellzeit, geeignet für Schaltanwendungen. Er erhöht die Flexibilität des Designs und hält gleichzeitig die branchenweit schnellste Rückgewinnungszeit aufrecht, die für EV-Ladestationen und Motorantriebe in Haushaltsgeräten wie Kühlschränken und Klimaanlagen optimiert ist.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Einfache Antriebskreise möglich

Pb-frei Beschichtung

RoHS-konform

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