ROHM Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 7 A 2 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 235-2817
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8MC5TB1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.5.305
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 02. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.061 | CHF.5.32 |
| 50 - 95 | CHF.0.909 | CHF.4.55 |
| 100 - 245 | CHF.0.798 | CHF.3.98 |
| 250 - 995 | CHF.0.768 | CHF.3.86 |
| 1000 + | CHF.0.626 | CHF.3.13 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-2817
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8MC5TB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.2mm | |
| Länge | 4.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.75 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.2mm | ||
Länge 4.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.75 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand ist ideal für Schaltanwendungen. Dieses Produkt umfasst zwei 60-V-MOSFETs in einem kleinen SMD-Gehäuse.
Pb-frei Beschichtung
Halogenfrei
Verwandte Links
- ROHM N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,5 A, 7 A, 8-Pin SOP
- ROHM SH8MD5HT Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 2.0 W, 8-Pin SOP-8
- ROHM SH8 Typ N, Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 2 W, 8-Pin SOP-8
- ROHM RRS050 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 9 A 2 W, 8-Pin SOP
- ROHM RRS050 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5 A 2 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SH8MB Typ N, Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 8.5 A 2 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SH8MA2 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.5 A 2.7 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SP8M4 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 9 A 2 W, 8-Pin SOP