Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 22 A 125 W, 3-Pin IPD11DP10NMATMA1 TO-252

RS Best.-Nr.:: 235-4853
Herst. Teile-Nr.:: IPD11DP10NMATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 22 A 125 W, 3-Pin IPD11DP10NMATMA1 TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 235-4853
Herst. Teile-Nr.:: IPD11DP10NMATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	22A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	IPD
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	111mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	-59nC
	Maximale Verlustleistung Pd	125W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	6.22 mm
	Länge	6.73mm
	Höhe	2.41mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie IPD
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 111mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -59nC
	Maximale Verlustleistung Pd 125W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 6.22 mm
	Länge 6.73mm
	Höhe 2.41mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD11DP10NMATMA1

Die Infineon OptiMOS TM P-Kanal-MOSFETs mit 100 V im DPAK-Gehäuse stellen die neue Technologie für Batterie-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen dar. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Geräts ist die Reduzierung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistungsaufnahme. Seine einfache Schnittstelle zur MCU, das schnelle Schalten sowie die Lawinenbeständigkeit machen ihn für hochwertige anspruchsvolle Anwendungen geeignet. Er ist in normaler Ausführung mit einem großen RDS(on)-Bereich erhältlich und verbessert den Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten aufgrund niedriger Qg. Sie wird in Batterie- und Industrieautomatisierung eingesetzt.

Erhältlich in 4 verschiedenen Gehäusen

Großer Bereich

Normale Pegel- und Logikpegel-Verfügbarkeit

Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz

Einfache Schnittstelle zur MCU

Geringe Designkomplexität

Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 22 A 125 W, 3-Pin IPD11DP10NMATMA1 TO-252

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