Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 13.7 A 83 W, 3-Pin IPD19DP10NMATMA1 TO-252

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RS Best.-Nr.:
235-4856
Herst. Teile-Nr.:
IPD19DP10NMATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

186mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

-36nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS TM P-Kanal-MOSFETs mit 100 V im DPAK-Gehäuse stellen die neue Technologie für Batterie-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen dar. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Geräts ist die Reduzierung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistungsaufnahme. Seine einfache Schnittstelle zur MCU, das schnelle Schalten sowie die Lawinenbeständigkeit machen ihn für hochwertige anspruchsvolle Anwendungen geeignet. Er ist in normaler Ausführung mit einem großen RDS(on)-Bereich erhältlich und verbessert den Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten aufgrund niedriger Qg. Sie wird in Batterie- und Industrieautomatisierung eingesetzt.

Erhältlich in 4 verschiedenen Gehäusen

Großer Bereich

Normale Pegel- und Logikpegel-Verfügbarkeit

Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz

Einfache Schnittstelle zur MCU

Geringe Designkomplexität

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