Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 230 A 245 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 235-4863
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC022N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 235-4863
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC022N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 230A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | ISC | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.24mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 245W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 91nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.1mm | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie ISC | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.24mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 245W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 91nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.1mm | ||
Breite 1.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
OptiMOSTM 6 Leistungs-MOSFET 100 V Normalpegel in SuperSO8-Gehäuse
Der ISC022N10NM6 OptiMOSTM 6 mit 100 V im Normalbereich setzt den neuen Technologiestandard auf dem Gebiet der diskreten Leistungs-MOSFETs. Im Vergleich zu alternativen Produkten ermöglicht die führende dünne Wafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsvorteile.
Der industrielle 100-V-Leistungs-MOSFET OptiMOSTM 6 von Infineon wurde für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz wie Telekommunikation und Server-Stromversorgung entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar, Elektrowerkzeuge und Drohnen.
Im SuperSO8-Gehäuse erreicht er ∼20 % Verbesserungen des Widerstands im eingeschalteten Zustand (RDS(on)) und 30 % bessere Werte (FOM - RDS(on) x Qg und Qgd) im Vergleich zur vorherigen Technologie OptiMOSTM 5. Dadurch können Entwickler den Wirkungsgrad erhöhen, was ein einfacheres thermisches Design und weniger Parallelbetrieb ermöglicht, was zu einer Senkung der Systemkosten führt.
Zusammenfassung der Merkmale
Im Vergleich zu OptiMOSTM 5 erreicht die neue Technologie:
•∼20 % niedrigerer RDS(ein)
•30 % verbesserter FOMg und 40 % besserer FOMgd
•Geringere und weichere umgekehrte Erholungsladung (Qrr)
•Ideal für hohe Schaltfrequenzen
•MSL 1 gemäß J-STD-020
•Anschlusstemperatur: 175 °C
•Hohe Lawinenenergie
•Bleifreie Leitungsbeschichtung
•CE-Kennzeichnung
Vorteile
•Geringe Leitungsverluste
•Niedrige Schaltverluste
•Schnelles Ein- und Ausschalten
•Weniger Parallelschaltung erforderlich
•Robuste, zuverlässige Leistung
•Umweltfreundlich
•Weniger Parallelschaltung erforderlich
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