Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 330 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 243-9323
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC037N03L5ISATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.5.66
Nur noch Restbestände
- Letzte 4'840 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF 0.566 | CHF 5.68 |
| 100 - 240 | CHF 0.535 | CHF 5.39 |
| 250 - 490 | CHF 0.515 | CHF 5.16 |
| 500 - 990 | CHF 0.495 | CHF 4.93 |
| 1000 + | CHF 0.465 | CHF 4.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 243-9323
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC037N03L5ISATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 330A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | ISC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 330A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie ISC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon MOSFET ist ein OptiMOS-Leistungs-MOSFET mit integrierter monolithischer Schottky-Diode und wurde für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert.
N-Kanal
Hervorragende thermische Beständigkeit
Bleifreie Leiterbeschichtung;RoHS-konform
Halogenfrei nach IEC61249-2-21
Verwandte Links
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 330 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 330 A 171 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 230 A 245 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IPC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 100 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6