Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 330 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
243-9322
Herst. Teile-Nr.:
ISC037N03L5ISATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

330A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

ISC

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon MOSFET ist ein OptiMOS-Leistungs-MOSFET mit integrierter monolithischer Schottky-Diode und wurde für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert.

N-Kanal

Hervorragende thermische Beständigkeit

Bleifreie Leiterbeschichtung;RoHS-konform

Halogenfrei nach IEC61249-2-21

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