Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 333 A 278 W, 8-Pin HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 236-1586
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT013N08NM5LFATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 236-1586
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT013N08NM5LFATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 333A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.3mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 158nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 10.58 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 333A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 158nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.4mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 10.58 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 5 Linear-FET, 80-V-MOSFET. Dieses Produkt ist gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen vollständig zugelassen.
Ideal für Hot-Swap- und e-fuse-Anwendungen
Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)
Großer sicherer Betriebsbereich SOA
N-Kanal, normale
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Bleifreie Beschichtung, halogenfrei
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