Infineon IPT N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 333 A 278 W, 8-Pin HSOF-8

RS Best.-Nr.:: 236-1586
Herst. Teile-Nr.:: IPT013N08NM5LFATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPT N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 333 A 278 W, 8-Pin HSOF-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 236-1586
Herst. Teile-Nr.:: IPT013N08NM5LFATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	333A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Serie	IPT
	Gehäusegröße	HSOF-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.3mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	158nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	278W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	2.4mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	10.58mm
	Länge	10.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 333A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Serie IPT
	Gehäusegröße HSOF-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 158nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 278W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 2.4mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 10.58mm
	Länge 10.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPT013N08NM5LFATMA1

MOSFET der IPT-Serie von Infineon, 80 V maximale Drain-Source-Spannung, 333 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPT013N08NM5LFATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für die Oberflächenmontage in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und liefert eine hohe kontinuierliche Ableitstrom- und Spannungsfähigkeit für Industrie- und Leistungsumwandlungsanwendungen.

Merkmale und Vorteile:

• 333 A kontinuierlicher Ablassstrom für die Handhabung schwerer Lasten
• 80 V Drain-to-Source-Nennleistung für Mittelspannungssysteme
• Niedrige Rds(on) von 1.3 mΩ zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• Maximale Verlustleistung von 278 W für den thermischen Kopfraum
• 158 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler
• Ideal für Motorantriebe und Traktionsumrichter
• Wird mit Stromverteilungsmodulen in Servern verwendet
• Kann für leistungsstarke Batteriemanagementsysteme verwendet werden

Welcher Gate-Spannungsbereich ist für die Ansteuerung dieses Geräts zulässig?

Das Gate kann bis zu 20 V in Bezug auf die Quelle betrieben werden, ohne den angegebenen Grenzwert zu überschreiten.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird für die Montage verwendet?

Er wird in einem HSOF-8-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf Leiterplattenkonfektionen konfiguriert ist.

Wie verhält sich das Gerät bei niedrigen Temperaturen?

Er ist für den Betrieb bis zu -55 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Installationen mit kaltem Klima.

Welche physischen Ummantelungsmessungen sind für die Leiterplatten-Footprintplanung relevant?

Die Komponente misst 10,1 mm x 10,58 mm bei einer Höhe von 2,4 mm.

Ist dieses Gerät spezifiziert, um Standards in Automobilqualität zu erfüllen?

Es ist nicht als Komponente in Automobilqualität eingestuft.