Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 247 A HSOF

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RS Best.-Nr.:
258-3902
Herst. Teile-Nr.:
IPT019N08N5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

247A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

HSOF

Serie

IPT

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS 5 80 V in TO-Leadless-Gehäuse ist ideal für hohe Schaltfrequenzen geeignet. Dieses Gehäuse wurde speziell für Hochstromanwendungen wie Gabelstapler, leichte Elektrofahrzeuge, POL und Telekommunikation entwickelt. Mit einer Platzreduzierung von 60 % im Vergleich zum 7-poligen D2PAK-Gehäuse ist TO-Leadless die perfekte Lösung, wenn höchste Effizienz, hervorragendes elektromagnetisches Verhalten sowie bestes thermisches Verhalten und Platzreduzierung erforderlich sind.

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Ideal für hohe Schaltfrequenz

Weniger Parallelführung erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

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