Infineon IPT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 315 A HSOF

RS Best.-Nr.:: 259-2644
Herst. Teile-Nr.:: IPT015N10NF2SATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 315 A HSOF

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 259-2644
Herst. Teile-Nr.:: IPT015N10NF2SATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	315A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	HSOF
	Serie	IPT
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.50mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	+175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 315A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße HSOF
	Serie IPT
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.50mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur +175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPT015N10NF2SATMA1

MOSFET der IPT-Serie von Infineon, 100 V Drain-Source-Spannung, 315 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPT015N10NF2SATMA1

Dieser MOSFET ist ein leistungsstarker N-Kanal-Transistor, der für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine robuste Schaltung und eine hohe Temperaturbeständigkeit erforderlich sind. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Systeme vorgesehen, die eine hohe Dauerstrombelastbarkeit bei gleichzeitig niedrigen Leitungsverlusten erfordern. Das Gerät wird in einem wärmeableitenden HSOF-Gehäuse geliefert, das für die Integration auf Board-Ebene mit hohem Stromverbrauch geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:

• 1.50 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• 315 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung schwerer Lasten
• 100 V Vds für Schaltvorgänge mit höherer Spannung
• 1,2 V Durchlassspannung verbessert die Leitfähigkeit
• Betriebsbereich von -55 °C bis +175 °C für raue Umgebungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-Motorantriebsstufen
• Ideal für DC/DC-Wandler in Stromversorgungsregalen
• Wird mit Stromverteilern auf Platinen verwendet
• Kann für Hochleistungs-Schaltvorgänge in industriellen Systemen verwendet werden
• Geeignet für kompakte, wärmeableitete Oberflächenmontage-Layouts

Welcher Gehäusetyp wird für die Wärmeableitung verwendet?

Er wird in einem HSOF-Gehäuse geliefert, das für eine verbesserte Wärmeübertragung auf externe Senken ausgelegt ist.

Welche Befestigungsmethode wird für die Leiterplattenmontage empfohlen?

Das Gerät ist für die Oberflächenmontage vorgesehen, um ein Board-Layout mit niedriger Induktivität zu ermöglichen.

Welche Kanalführung verwendet das Gerät?

Er verwendet eine N-Kanal-Konfiguration im Enhancement-Modus für kontrolliertes Schalten.

Ist das Produkt für die Automobilstandardisierung geeignet?

Es wird nicht angegeben, dass es den Automobilstandards entspricht, aber den RoHS-Anforderungen entspricht.