Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 600 V / 29 A 167 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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RS Best.-Nr.:
239-5380
Herst. Teile-Nr.:
SIHK075N60E-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.08Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 29 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK075N60E-T1-GE3


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für anspruchsvolle elektronische und elektrische Systeme entwickelt wurde. Es arbeitet als N-Kanal-Gerät, das für oberflächenmontierte Implementierungen geeignet ist und eine hohe Temperaturbeständigkeit und eine erhebliche Dauerstromfähigkeit für Leistungsumwandlungs- und Schaltaufgaben in industriellen Umgebungen bietet.

Merkmale und Vorteile:


• Die Nennleistung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 29 A Dauerstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung • Niedrige Rds(on) von 0,08 Ω reduziert Leitungsverluste • Die Verlustleistung von 167 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung • 41 nC typische Gate-Ladung erleichtert schnellere Schaltübergänge • Maximale Betriebstemperatur von 150 °C ermöglicht den Einsatz bei erhöhter Temperatur

Anwendungen


• Geeignet für Wechselrichterstufen in industriellen Antrieben • Ideal für Schaltnetzteile in Automatisierungssystemen • Wird für Hochspannungs-Motorsteuerungsschaltkreise verwendet • Kann für die Stromumwandlung in Wechselrichtern für erneuerbare Energien verwendet werden • Geeignet für Halbleiterschaltung in elektrischen Verteilungsanlagen

Welche Gate-Antriebsaspekte sollte ich in meiner Konstruktion berücksichtigen?


Antriebsstromkreise müssen eine maximale Gate-zu-Source-Spannung von 30 V bewältigen und in der Lage sein, Quellen-/Sink-Strom zu liefern, um das typische 41-nC-Gate schnell zu laden, um eine effiziente Schaltung zu gewährleisten.

Wie sollte das Wärmemanagement für einen längeren Betrieb herangezogen werden?


Stellen Sie sicher, dass das Leiterplatten-Thermallayout und die Wärmeableitung ausreichend sind, um bis zu 167 W abzuleiten, und berücksichtigen Sie bei der Spezifikation der Kühlung die maximale Sperrschichtbewertung des Geräts von 150 °C.

Was sind die elektrischen Grenzwerte für einen sicheren Betrieb bei niedrigen Temperaturen?


Das Gerät ist für den Einsatz bis zu -55 °C spezifiziert, sodass Komponenten und Lötprozesse diese minimale Umgebung aufnehmen müssen, ohne die elektrischen Belastungsgrenzen zu überschreiten.

Welche Gehäuseeigenschaften beeinflussen die Leiterplattenmontage und das Layout?


Die Komponente verwendet ein 8-poliges PowerPAK 10x12-Gehäuse für die Oberflächenmontage, das ein geeignetes Erdungsmuster und eine Lötpastenablagerung für eine zuverlässige Montage und Wärmeübertragung erfordert.

Ist dies für den Ersatz in Automobilqualität geeignet?


Es ist nicht spezifiziert, dass es die Automobilnormung erfüllt, daher sollte die Eignung gegenüber den Fahrzeugspezifischen Qualifikationsanforderungen geprüft werden.

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