Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 600 V / 29 A 167 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

RS Best.-Nr.:: 239-5381
Herst. Teile-Nr.:: SIHK075N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 600 V / 29 A 167 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	29A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	E
	Gehäusegröße	PowerPAK 10 x 12
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.08Ω
	Maximale Verlustleistung Pd	167W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	41nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 29A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie E
	Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.08Ω
	Maximale Verlustleistung Pd 167W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHK075N60E-T1-GE3

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 29 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK075N60E-T1-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Halbleitergerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es eignet sich für oberflächenmontierte Anwendungen, bei denen eine kompakte Verpackung und eine robuste thermische Leistung erforderlich sind, und erfüllt die RoHS-Umweltbeschränkungen.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 29 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 0,08 Ω Rds(on) sorgen für geringe Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 167 W ermöglicht eine effektive Wärmemanagement
• Die typische Gate-Ladung von 41 nC ermöglicht eine kontrollierte Schaltdynamik
• 30-V-Gate-Toleranz bietet breite Gate-Drive-Marge

Anwendungen

• Geeignet für industrielle Motor-Frequenzumrichter
• Wird mit Stromversorgungen für Server- und Telekommunikationsgeräte verwendet
• Ideal für DC-DC-Wandler in erneuerbaren Energiesystemen
• Kann für Hochspannungsschaltregler in der Messtechnik verwendet werden
• Geeignet für LED-Beleuchtungstreiber, die Hochspannungsschalter erfordern

Welche Befestigungsmethode ist für eine zuverlässige elektrische Verbindung erforderlich?

Er wird in einem flachen PowerPAK 10x12-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte mit Lötpads für mechanischen und thermischen Kontakt vorgesehen ist.

Wie groß ist der Betriebstemperaturbereich für raue Umgebungen?

Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz unter extremen Umgebungs- und erhöhten Anschlussbedingungen.

Welche Überlegungen sollten bei Gate-Antrieben beachtet werden?

Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 30 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise Vgs innerhalb dieser Grenze begrenzen und genügend Antrieb bieten müssen, um die spezifizierte Gate-Ladung von etwa 41 nC zu erreichen.

Wie unterstützt das Gehäuse die Wärmeableitung?

Das PowerPAK 10x12-Format bietet einen thermischen Pfad durch das Gehäuse zur Leiterplatte und hilft dem Gerät, bei einem geeigneten thermischen Board-Design bis zu 167 W Verlustleistung zu verwalten.