Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 48 A 278 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 239-8634
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK045N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 48A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.043Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 98nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 48A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.043Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 98nC | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 48 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK045N60E-T1-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er bietet eine hohe Spannungsfestigkeit und eine hohe Strombelastbarkeit für den Einsatz in oberflächenmontierten Designs, bei denen die thermische und elektrische Leistung entscheidend ist. Das Gerät entspricht den bleifreien Industriestandards und erfüllt die Kfz-Qualifizierung für den Einsatz in der Fahrzeugelektronik.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Nennleistung für Hochspannungsschaltanwendungen
• 48 A kontinuierlicher Ablassstrom für die Handhabung schwerer Lasten
• Niedriger Einschaltwiderstand von 0,043 Ω zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• 278 W Verlustleistung für verbesserte thermische Belastbarkeit
• 98 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten
• Gate-Toleranz von 30 V ermöglicht eine robuste Antriebsmarge
• 48 A kontinuierlicher Ablassstrom für die Handhabung schwerer Lasten
• Niedriger Einschaltwiderstand von 0,043 Ω zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• 278 W Verlustleistung für verbesserte thermische Belastbarkeit
• 98 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten
• Gate-Toleranz von 30 V ermöglicht eine robuste Antriebsmarge
Anwendungen
• Geeignet für Offline-Stromversorgungen, die eine hohe Sperrspannung erfordern
• Ideal für Kraftfahrzeug-Leistungsmanagement und Motorantriebsschaltkreise
• Wird mit DC/DC-Wandlern in industriellen Geräten verwendet
• Kann für Wechselrichterstufen in erneuerbaren Energiesystemen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule
• Ideal für Kraftfahrzeug-Leistungsmanagement und Motorantriebsschaltkreise
• Wird mit DC/DC-Wandlern in industriellen Geräten verwendet
• Kann für Wechselrichterstufen in erneuerbaren Energiesystemen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule
Welche thermischen Extreme kann das Gerät im Betrieb tolerieren?
Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C und eignet sich für raue Umgebungsbedingungen.
Wie ist das Gerät für die Leiterplattenmontage verpackt?
Er wird in einem flachen PowerPAK10x12-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für die Wärmeableitung und die automatisierte Platzierung optimiert ist.
Welche Gate-Treiber-Einschränkungen sollten Entwickler beachten?
Das Gate muss innerhalb von ±30 V betrieben werden, um eine Überbelastung der Gate-Source bei Schaltvorgängen zu vermeiden.
Entspricht das Gerät den Anforderungen der Automobilqualifizierung?
Er erfüllt die AEC-Q101-Standards für die Automobilindustrie und eignet sich daher für elektronische Fahrzeug-Subsysteme.
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