Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für anspruchsvolle elektronische und Automobilanwendungen entwickelt wurde. Er funktioniert als Depletion-Modus-Schalter zur Steuerung von Hochspannungsschaltkreisen und eignet sich für die Oberflächenmontage in Systemen, die eine robuste thermische und elektrische Leistung erfordern. Das Gerät arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und entspricht den Qualitätsstandards der Automobilindustrie für den Einsatz in der Fahrzeugelektronik.

• 650 V Ablassspannung ermöglicht das Schalten von Hochspannungssystemen • 21 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung • 0,109 Ω Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste • 132 W Verlustleistung für erhöhte thermische Lasten • 54 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie • Gate-Toleranz ±30 V für robuste Gate-Treiber-Marge

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Leistungsumwandlung und Wechselrichterstufen • Ideal für Hochspannungs-Motorantriebe-Front-Ends • Wird für das Schalten von Hochspannungen in der industriellen Automatisierung verwendet • Kann für Stromversorgungen in elektrischen Systemen verwendet werden

Das Gerät unterstützt einen kontinuierlichen Betrieb von -55 °C bis +150 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großer thermischer Schwankung.

Das oberflächenmontierte PowerPAK 10x12-Gehäuse bietet einen Pfad mit niedrigem Wärmewiderstand zur Leiterplatte und unterstützt die Wärmeübertragung, wenn es an geeignete Leiterplatten-Kupferbereiche gelötet wird.

Mit einer typischen Gate-Ladung von 54 nC und einer maximalen Gate-Source-Nennleistung von ±30 V müssen Gate-Treiber eine ausreichende Ladung liefern und die Spannungsbegrenzung beachten, um die Schaltgeschwindigkeit sicher zu steuern.

Das Gerät erfüllt die AEC-Q101-Anforderungen und ist RoHS-konform, wodurch es mit den Auswahlkriterien für Komponenten in Automobilqualität übereinstimmt.