Vishay SIH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 20 A 208 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 239-5382
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP24N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.120.70
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 07. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.2.414 | CHF.120.59 |
| 100 - 200 | CHF.2.262 | CHF.113.37 |
| 250 + | CHF.2.05 | CHF.102.52 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 239-5382
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP24N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SIH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.19Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 90nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie SIH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.19Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 90nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Serie EF von Vishay hat einen Ablaufstrom von 20 A. Er wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schaltnetzteile (SMPS), Leistungsfaktorkorrekturnetzteile (PFC) verwendet.
Niedrige Leistungsanzeige (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste Nennleistung
Avalanche-Energie-Nennwert
Verwandte Links
- Vishay SIH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 20 A 208 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay SIH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 850 V / 20 A 208 W TO-247AC
- Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 800 V / 8 A 78 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay ThunderFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 120 A 375 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay SIHP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 21 A 179 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay SIHP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 250 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay SIHP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 47 A 312 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay SIHP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 179 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB