STMicroelectronics STW N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 55 A 480 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 240-0612
- Herst. Teile-Nr.:
- STW75N65DM6-4
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 240-0612
- Herst. Teile-Nr.:
- STW75N65DM6-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | STW | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 118nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 480W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Länge | 40.92mm | |
| Breite | 15.8mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie STW | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 118nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 480W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Länge 40.92mm | ||
Breite 15.8mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmesh DM6-Schnell-Erholdioden-Serie. Im Vergleich zur vorherigen MDmesh-Schnellgeneration kombiniert DM6 sehr niedrige Erholladung (Qrr), Erholzeit (trr) und ausgezeichnete Verbesserung der RDS(on) pro Bereich mit einer der größten effektive Schaltverhalten auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.
Schnelle Gehäusediode
Niedriger RDS(on) pro Fläche im Vergleich zu vorheriger Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100 % Avalanche geprüft
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zener-geschützt
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