Infineon IPL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 4.5 A 43 W, 5-Pin ThinPAK 5x6

Der MOSFET der Serie 800 V CoolMOS™ P7 Super Junction von Infineon ist perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme, da er die Anforderungen des Markts in Bezug auf Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis/Leistung vollständig erfüllt. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Flyback-Anwendungen, einschließlich Adapter und Ladegerät, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Er bietet bis zu 0,6 % Wirkungsverstärkung und eine niedrigere MOSFET-Temperatur um 2 °C bis 8 °C im Vergleich zu Vorgängern sowie zu Wettbewerbern, die in typischen Flyback-Anwendungen getestet wurden. Er ermöglicht auch Designs mit höherer Leistungsdichte durch geringere Schaltverluste und bessere DPAK RDS(on)-Produkte. Insgesamt hilft er den Kunden, BOM-Kosten zu sparen und den Montageaufwand zu reduzieren.

Bestes FOM RDS(on)*Eoss; Reduzierte Qg, Ciss und Coss

Das ThinPAK 5 x 6-Gehäuse zeichnet sich durch eine sehr kleine Abmessung von 5 x 6 mm² und ein sehr flaches Profil mit einer Höhe von 1 mm aus. Zusammen mit der niedrigen Parasität führen diese Merkmale zu erheblich kleineren Formfaktoren und helfen dabei, die Leistungsdichte zu steigern. Diese Kombination macht den CoolMOS™ P7 in ThinPAK 5x6 perfekt für seine Zielanwendungen.