Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 242-5818
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB048N15N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 273A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 273A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist besonders geeignet für Niederspannungsantriebe wie Gabelstapler und E-Scooter sowie für Telekommunikations- und Solaranwendungen. Die Produkte bieten eine bahnbrechende Reduzierung von R DS(on) (bis zu 25 % im Vergleich zur nächsten besten Alternative in SuperSO8) und Q rr ohne Kompromisse bei FOM gd und FOM OSS, was den Designaufwand effektiv reduziert und gleichzeitig die Systemeffizienz optimiert.
Niedrigere R DS(on) ohne Kompromisse bei FOMgd und FOMoss
Niedrigere Ausgangsladung
Extrem niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung (Q rr = 26 nC in SuperSO8)
175 °C Betriebstemperatur
175 °C bleifreie Kabelbeschichtung
RoHS-konform Drain-Quelle-Durchschlagsspannung 150 V
Maximaler Ablassstrom 120 A
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