Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 243-9268
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB110P06LMATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.4.838
Auf Lager
- 336 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 4.84 |
| 10 - 24 | CHF 4.60 |
| 25 - 49 | CHF 4.50 |
| 50 - 99 | CHF 4.19 |
| 100 + | CHF 3.92 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 243-9268
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB110P06LMATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 273A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 273A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der iPB-Serie von Infineon, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 273 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPB110P06LMATMA1
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Halbleiterschalter, der für Hochstrom- und Hochspannungsanwendungen entwickelt wurde und in einem oberflächenmontierbaren TO-263-Gehäuse geliefert wird. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Leistungsumwandlungs- und Schaltvorgänge, bei denen eine thermische Toleranz und eine kompakte Montage erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand ermöglicht geringere Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Die Nennleistung von 100 V Drain-Source ermöglicht den Einsatz höherer Spannungen
• Die Verlustleistung von 81 W sorgt für eine robuste Wärmeleistung
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht reaktionsschnelles Schalten
• RoHS-Konformität minimiert den Gehalt an gefährlichen Stoffen
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Die Nennleistung von 100 V Drain-Source ermöglicht den Einsatz höherer Spannungen
• Die Verlustleistung von 81 W sorgt für eine robuste Wärmeleistung
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht reaktionsschnelles Schalten
• RoHS-Konformität minimiert den Gehalt an gefährlichen Stoffen
Anwendungsbereich
• Geeignet für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Nützlich in nachgeschalteten Phasen des Motorantriebs, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für Hochspannungs-DC/DC-Wandlerschalter verwendet werden
• Ideal für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule
• Wird für schnelles Schalten in Umgebungen mit transienten Lasten verwendet
• Nützlich in nachgeschalteten Phasen des Motorantriebs, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für Hochspannungs-DC/DC-Wandlerschalter verwendet werden
• Ideal für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule
• Wird für schnelles Schalten in Umgebungen mit transienten Lasten verwendet
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen während des Gebrauchs eingehalten werden?
Die Gate-Source-Spannung darf ±20 V nicht überschreiten, um eine Beschädigung der Gate-Struktur zu vermeiden.
Wie wirkt sich der Temperaturbereich auf die Einsatzmöglichkeiten aus?
Das Gerät arbeitet von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht den Einsatz sowohl bei Kaltstart als auch bei erhöhter Temperatur.
Welche Befestigungsaspekte gelten für die thermische Leistung?
Verwenden Sie geeignete Leiterplatten-Thermopads und Wärmeleitpasten mit der Abmessung TO-263, um die Verlustleistung von 81 W zu bewältigen.
Wie wirkt sich der Kanaltyp auf die Polarität der Schaltung aus?
Als P-Kanalgerät erfordert es geeignete Polaritätsanordnungen für High-Side-Schaltkonfigurationen.
Welches Schaltverhalten wird durch die Durchlassspannung angegeben?
Eine Durchlassspannung von 1,1 V spiegelt seine Leitcharakteristik unter bestimmten Antriebs- und Lastbedingungen wider.
Verwandte Links
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 7-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 103 A TO-263