Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 243-9266
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB020N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
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| 25 - 49 | CHF.3.57 |
| 50 - 99 | CHF.3.33 |
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- RS Best.-Nr.:
- 243-9266
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB020N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 273A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 273A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon ist ideal für Hochfrequenzschaltungen. Es verfügt über ein ausgezeichnetes Gate-Ladeprodukt (FOM). Wird typischerweise im D2PAK-Gehäusesystem geliefert. Der Ableitstrom und die Ableit-Quellenspannung des Leistungs-MOSFETs beträgt 173 A bzw. 80 V
300 W Verlustleistung
Oberflächenmontage
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Verringerung der Ausgangskapazität von bis zu 44 %
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