Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 242-5822
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB110N20N3LFATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 242-5822
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB110N20N3LFATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 273A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 273A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der lineare FET-MOSFET von Infineon ist ein revolutionärer Ansatz, um den Kompromiss zwischen Durchlasswiderstand (R DS(on)) und Linearmodusfähigkeit zu vermeiden –Betrieb im Sättigungsbereich eines Enhanced-Mode-MOSFET. Bietet den modernsten R DS(on) eines Trench-MOSFETs zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFETs.
Kombination aus niedrigem R DS(on) und großem sicheren Betriebsbereich (SOA)
Hoher maximaler Impulsstrom
Hoher kontinuierlicher Impulsstrom
Maximaler Ablassstrom beträgt 88 A
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 150 °C
Verwandte Links
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 7-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 81 W, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 35 A 81 W, 3-Pin TO-263