Infineon HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2 MOSFET -55 V / 4.7 A 2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 243-9288
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7343QTR
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.4.998
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.2.499 | CHF.4.99 |
| 20 - 48 | CHF.2.289 | CHF.4.59 |
| 50 - 98 | CHF.2.142 | CHF.4.30 |
| 100 - 198 | CHF.1.995 | CHF.3.98 |
| 200 + | CHF.1.848 | CHF.3.69 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 243-9288
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7343QTR
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.11mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.11mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon AUIRF7343QTR wurde speziell für Automotive-Anwendungen entwickelt. Diese HEXFET® Power-MOSFETs in einem Dual-SO-8-Gehäuse nutzen die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser für die Automobilindustrie qualifizierten HEXFET-Leistungs-MOSFETs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 150 °C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Wiederholungsrate.
Fortschrittliche Planartechnologie
Ultrageringer On-Widerstand
Logic Level Gate Drive
Dual N- und P-Kanal MOSFET
Oberflächenmontage
Erhältlich in Tape und Reel
150 °C Betriebstemperatur
Bleifrei, RoHS-konform
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