Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 244-0879
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD650P06NMATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.1’470.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 16. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.0.588 | CHF.1’480.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-0879
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD650P06NMATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der MOSFET-Leistungstransistor Infineon OptiMOSTM hat eine bleifreie Leiterbeschichtung, ist RoHS-konform und halogenfrei gemäß IEC61249-2-21.
P-Kanal
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on)
100 % Lawinengeprüft
Normales Niveau
Enhancement-Modus
Verwandte Links
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD650P06NMATMA1 TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD380P06NMATMA1 TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD80R1K2P7ATMA1 TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD25DP06LMATMA1 TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD5N25S3430ATMA1 TO-252