Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 244-1596
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD80R1K2P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.355 | CHF.6.75 |
| 50 - 120 | CHF.1.124 | CHF.5.61 |
| 125 - 245 | CHF.1.05 | CHF.5.27 |
| 250 - 495 | CHF.0.966 | CHF.4.85 |
| 500 + | CHF.0.903 | CHF.4.53 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-1596
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD80R1K2P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die MOSFET-800-V-CoolMOS-P7-Serie von Infineon setzt neue Maßstäbe bei 800-V-Super-Junction-Technologien und kombiniert erstklassige Leistung mit modernster Benutzerfreundlichkeit, das Ergebnis von Infineons über 18-jähriger bahnbrechender Innovation in der Super-Junction-Technologie.
Klassenbester FOM RDS(on) * Eoss
Klassenbester DPAK RDS(on)
Klassenbester V(GS) von 3 V
Vollständig optimiertes Portfolio
Integrierter Zener-Dioden-ESD-Schutz
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