Infineon IRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 192 A 81 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 244-2929
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF300P227
- Marke:
- Infineon
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- 244-2929
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF300P227
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 192A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Serie | IRF | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 192A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Serie IRF | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon IRF300P227-Qualifizierungsbericht beschreibt die Eigenschaften des Produkts in Bezug auf Qualität und Zuverlässigkeit. Die Auswahl der Qualifikationsprobe wurde auf Produktionslosen durchgeführt, die nach Standard-Fertigungsprozessen hergestellt und getestet wurden und die definierten Anforderungen erfüllen. Die in diesem Dokument beschriebenen Qualifikationsprüfergebnisse dieser Produkte basieren auf JEDEC für Zielanwendungen und können auf vorhandene Qualifikationsergebnisse ähnlicher Produkte verweisen. Diese Referenzierung wird durch die strukturelle Ähnlichkeit der Produkte gerechtfertigt.
Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit
Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA
Verbesserte Gehäusediode dv/dt und di/dt-Fähigkeit
Bleifrei
RoHS-kompatibel
Halogenfrei
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