Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD050N10N5ATMA1 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD050N10N5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon MOSFET OptiMOSTM5 Leistungstransistor verfügt über eine bleifreie Beschichtung, RoHS-konform und ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21.

N-Kanal, normale

Ausgezeichnete gate-ladung x RDS(on) -Produkt (BFM)

Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)

175 °C Betriebstemperatur

Ideal für Hochfrequenzschaltungen

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