Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 244-8544
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD050N10N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.5.736
Auf Lager
- 1'536 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.2.868 | CHF.5.75 |
| 20 - 48 | CHF.2.404 | CHF.4.81 |
| 50 - 98 | CHF.2.242 | CHF.4.47 |
| 100 - 198 | CHF.2.101 | CHF.4.19 |
| 200 + | CHF.1.929 | CHF.3.86 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-8544
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD050N10N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon MOSFET OptiMOSTM5 Leistungstransistor verfügt über eine bleifreie Beschichtung, RoHS-konform und ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21.
N-Kanal, normale
Ausgezeichnete gate-ladung x RDS(on) -Produkt (BFM)
Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)
175 °C Betriebstemperatur
Ideal für Hochfrequenzschaltungen
Verwandte Links
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 80 A 81 W, 3-Pin TO-252