Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 244-8548
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD65R660CFDAATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.2.478
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 + | CHF.1.239 | CHF.2.49 |
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- RS Best.-Nr.:
- 244-8548
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD65R660CFDAATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon CoolMOS MOSFET ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 650V-CoolMOS-CFDA-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Die resultierenden Geräte bieten alle Vorteile eines schnellen SJ-MOSFET und bieten gleichzeitig eine extrem schnelle und robuste Gehäusediode. Diese Kombination aus extrem niedrigen Schalt-, Kommutierungs- und Leitungsverlusten und höchster Robustheit macht besonders resonante Schaltanwendungen zuverlässiger, effizienter, leichter und kühler.
Ultraschnelle Gehäusediode
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Extrem niedrige Verluste durch sehr geringe Verluste
Einfach zu verwenden/zu treiben
Zugelassen gemäß AEC Q101
Grünes Gehäuse (RoHS-konform)
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