Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD60R145CFD7ATMA1 TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 244-9740
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R145CFD7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPD60R145CFD7ATMA1
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon IPD60R145CFD7ATMA1 600 V CoolMOS CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Superjunction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die CoolMOS 7-Serie vervollständigt. Der CoolMOS CFD7 verfügt über eine reduzierte Gate-Ladung (Qg), ein verbessertes Abschaltverhalten und eine umgekehrte Erholungsladung (Qrr), die im Vergleich zur Konkurrenz um bis zu 69 % niedriger ist, sowie die niedrigste umgekehrte Erholungszeit (trr) auf dem Markt hat.
Ultraschnelle Gehäusediode
Klassenbeste umgekehrte Erholungsladung (Qrr)
Verbesserte umgekehrte Diode dv/dt- und diff/dt-Robustheit
Niedrigste FOM RDS(on) x Qg und EOSS
Klassenbeste RDS (on) x Qg/Paketkombination
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