DiodesZetex Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung 0.29 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 246-6839
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP31D7LDWQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 246-6839
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP31D7LDWQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.29W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.29W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex ist ein zweifacher P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Leistungsmanagementanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SOT363-Gehäuse und einem 0,6-mm-Profil geliefert, was ihn ideal für flache Anwendungen macht. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 30 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Sie bietet eine niedrige Gate-Schwellenspannung. Sie bietet eine niedrige Eingangskapazität
Verwandte Links
- DiodesZetex Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung 0.29 W, 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt DMP31 Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 550 mA 0.46 W, 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt DMC3401 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 800 mA 0.4 W, 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 0.37 W, 6-Pin US
- DiodesZetex DMP31 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 380 mA 0.29 W, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 261 mA 0.45 W, 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 217 mA 250 mW, 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 250 mA 0.35 W, 6-Pin US
