DiodesZetex N-Kanal 2 MOSFET 20 V Erweiterung 0.8 W, 6-Pin U-DFN2030
- RS Best.-Nr.:
- 246-7508
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2014LHAB-13
- Marke:
- DiodesZetex
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- 246-7508
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2014LHAB-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | U-DFN2030 | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.8W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.75V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße U-DFN2030 | ||
Pinanzahl 6 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.8W | ||
Durchlassspannung Vf 0.75V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex stellt einen zweifachen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET der neuen Generation her. Er wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem U-DFN2030-6-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C. Er bietet eine niedrige Eingangskapazität und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 20 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±16 V. Es bietet ein ESD-geschütztes Gate mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und niedriger Gate-Schwellenspannung
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