DiodesZetex Typ N-Kanal 2 MOSFET 20 V Erweiterung 0.8 W, 6-Pin U-DFN2030

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Herst. Teile-Nr.:
DMN2014LHAB-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

U-DFN2030

Pinanzahl

6

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

0.8W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±12 V

Durchlassspannung Vf

0.75V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex stellt einen zweifachen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET der neuen Generation her. Er wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem U-DFN2030-6-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C. Er bietet eine niedrige Eingangskapazität und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.

Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 20 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±16 V. Es bietet ein ESD-geschütztes Gate mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und niedriger Gate-Schwellenspannung

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