DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.3 A 1.2 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 246-7524
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2065UQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 246-7524
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2065UQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DMP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.2W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DMP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.2W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex stellt einen P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SOT23-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.
Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 20 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±12 V. Sie bietet einen kleinen Formfaktor und ein thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Produkte mit höherer Dichte. Sie bietet ein kleines, thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Produkte mit höherer Dichte
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