DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
246-7549
Herst. Teile-Nr.:
DMT32M4LPSW-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerDI5060-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0028Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.73W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.4mm

Höhe

1mm

Breite

5.15 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET der neuen Generation her. Er wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem powerDI5060-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung. Die Verpackungsgröße von weniger als 1,1 mm macht sie ideal für dünne Anwendungen.

Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 40 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Wärmeeffizientes Gehäuse, ideal für kühler laufende Anwendungen. Bietet eine niedrige Eingangskapazität

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