STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 12 V / 55 A 188 W, 8-Pin PowerFLAT

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
248-4900
Herst. Teile-Nr.:
STL325N4LF8AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Serie

STL

Gehäusegröße

PowerFLAT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

UL

Breite

4.9 mm

Höhe

1mm

Länge

6mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Produkt von STMicroelectronics ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der die STripFET F8-Technologie mit einer verbesserten Trench-Gate-Struktur nutzt. Es sorgt für einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bei gleichzeitiger Reduzierung der internen Kapazitäten und der Gate-Ladung für eine schnellere und effizientere Schaltung.

Für Schaltanwendungen

verwendet MSL1 Güte

AEC-Q101 qualifiziert

175 Grad C Betriebstemperatur

100 Prozent Lawinengeprüft Benetzbares

Flankengehäuse

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