STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 12 V / 55 A 188 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 248-4901
- Herst. Teile-Nr.:
- STL325N4LF8AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.2.457 | CHF.4.93 |
| 10 - 18 | CHF.2.342 | CHF.4.68 |
| 20 - 48 | CHF.2.10 | CHF.4.21 |
| 50 - 98 | CHF.1.89 | CHF.3.78 |
| 100 + | CHF.1.806 | CHF.3.60 |
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- 248-4901
- Herst. Teile-Nr.:
- STL325N4LF8AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Serie | STL | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6mm | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Serie STL | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6mm | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 4.9 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Produkt von STMicroelectronics ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der die STripFET F8-Technologie mit einer verbesserten Trench-Gate-Struktur nutzt. Es sorgt für einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bei gleichzeitiger Reduzierung der internen Kapazitäten und der Gate-Ladung für eine schnellere und effizientere Schaltung.
Für Schaltanwendungen
verwendet MSL1 Güte
AEC-Q101 qualifiziert
175 Grad C Betriebstemperatur
100 Prozent Lawinengeprüft Benetzbares
Flankengehäuse
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