Infineon Halbbrücke IAUC45N04S6L063H Typ N-Kanal MOSFET 40 V Erweiterung / 45 A 41 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 249-6883
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUC45N04S6L063HATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
CHF.1’785.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | CHF.0.357 | CHF.1’811.25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 249-6883
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUC45N04S6L063HATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | IAUC45N04S6L063H | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 41W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±16 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Halbbrücke | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie IAUC45N04S6L063H | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 41W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±16 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Halbbrücke | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon OptiMOS ist ein Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Der Betriebskanal ist N. Er ist AEC Q101-qualifiziert. MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow. Grünes Produkt (RoHS-konform) und 100 % Lawinengeprüft.
175 °C Betriebstemperatur
Verwandte Links
- Infineon Halbbrücke IAUC45N04S6L063H Typ N-Kanal MOSFET 40 V Erweiterung / 45 A 41 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Halbbrücke OptiMOSTM Typ N-Kanal Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 45 A 41 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 60 A 75 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Halbbrücke IAUC60N04S6N050H Typ N-Kanal Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 60 A 52 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 40 V N / 60 A 75 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 24 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6