Infineon Halbbrücke IAUC60N04S6N050H Typ N-Kanal Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 60 A 52 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 249-6894
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUC60N04S6N050HATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.6.88
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.376 | CHF.6.88 |
| 50 - 120 | CHF.1.187 | CHF.5.91 |
| 125 - 245 | CHF.1.103 | CHF.5.50 |
| 250 - 495 | CHF.1.029 | CHF.5.17 |
| 500 + | CHF.0.945 | CHF.4.74 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 249-6894
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUC60N04S6N050HATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | IAUC60N04S6N050H | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Halbbrücke | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie IAUC60N04S6N050H | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Halbbrücke | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon OptiMOS ist ein Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Der Betriebskanal ist N. Er ist AEC Q101-qualifiziert. MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow. Grünes Produkt (RoHS-konform) und 100 % Lawinengeprüft.
175 °C Betriebstemperatur
Verwandte Links
- Infineon Halbbrücke IAUC60N04S6N050H Typ N-Kanal Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 60 A 52 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Halbbrücke OptiMOSTM Typ N-Kanal Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 45 A 41 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 60 A 75 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 650 V / 52 A 272 W, 8-Pin IPT60R045CFD7XTMA1
- Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 40 V N / 60 A 75 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 650 V / 52 A 272 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon Halbbrücke IAUC45N04S6L063H Typ N-Kanal MOSFET 40 V Erweiterung / 45 A 41 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 44 A 52 W, 8-Pin BSC0803LSATMA1 SuperSO8 5 x 6