Infineon IPW Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 81 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 250-0597
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R060CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.5.292 | CHF.158.82 |
| 60 - 120 | CHF.5.03 | CHF.150.89 |
| 150 + | CHF.4.82 | CHF.144.52 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0597
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R060CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IPW | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IPW | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der 650 V CoolMOS CFD7 von Infineon erweitert das Spannungsklassenangebot der CFD7-Familie und ist ein Nachfolger des 650 V CoolMOS CFD2. Das Ergebnis ist eine verbesserte Schaltleistung und ein hervorragendes thermisches Verhalten. Das Produkt bietet höchste Effizienz bei resonanten Schalttopologien wie LLC und Phasenverschiebungs-Vollbrücke (ZVS). Als Teil von Infineons schnellem Body-Dioden-Portfolio vereint diese neue Produktserie alle Vorteile einer schnellen Schalttechnologie mit einer überragenden Robustheit bei der harten Kommutierung. Die Technologie erfüllt höchste Effizienz- und Zuverlässigkeitsstandards und unterstützt darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte.
Hervorragende Robustheit bei harter Kommutierung
Zusätzliche Sicherheitsspanne für Designs mit erhöhter Busspannung
Hervorragender Wirkungsgrad bei geringer Last in industriellen SMPS-Anwendungen
Verbesserter Wirkungsgrad bei voller Last in industriellen SMPS-Anwendungen
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