Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 114 W, 3-Pin IPW65R115CFD7AXKSA1 PG-TO-247

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RS Best.-Nr.:
273-3027
Herst. Teile-Nr.:
IPW65R115CFD7AXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

IPW

Gehäusegröße

PG-TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

115mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

114W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

AECQ101, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon Kfz-SJ-Leistungs-MOSFET im TO-247-Gehäuse ist Teil der Kfz-qualifizierten 650-V-Kühl-MOS-SJ-Leistungs-MOSFET-Produktfamilie CFD7A.

Ermöglichung von Designs mit höherer Leistungsdichte

Skalierbar, wie für den Einsatz in der PFC- und DC/DC-Stufe entwickelt

Granular-Portfolio erhältlich

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