Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 114 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 273-3027
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R115CFD7AXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.83.64
Auf Lager
- 150 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.2.788 | CHF.83.63 |
| 60 + | CHF.2.576 | CHF.77.20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-3027
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R115CFD7AXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 115mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 114W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AECQ101, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 115mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 114W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AECQ101, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon Kfz-SJ-Leistungs-MOSFET im TO-247-Gehäuse ist Teil der Kfz-qualifizierten 650-V-Kühl-MOS-SJ-Leistungs-MOSFET-Produktfamilie CFD7A.
Ermöglichung von Designs mit höherer Leistungsdichte
Skalierbar, wie für den Einsatz in der PFC- und DC/DC-Stufe entwickelt
Granular-Portfolio erhältlich
Verwandte Links
- Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 114 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IPW, Durchsteckmontage MOSFET 650 V / 211 A PG-TO-247
- Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 127 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IPW, Durchsteckmontage MOSFET 650 V / 13 A 106 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 114 W, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V / 69 A 305 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 64 A 329 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 600 V / 123 A 521 W, 4-Pin PG-TO-247