Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 64 A 329 W, 3-Pin IPW60R037CM8XKSA1 PG-TO-247

RS Best.-Nr.:: 349-266
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R037CM8XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 64 A 329 W, 3-Pin IPW60R037CM8XKSA1 PG-TO-247

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RS Best.-Nr.:: 349-266
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R037CM8XKSA1
Marke:: Infineon

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	64A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	PG-TO-247
	Serie	IPW
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	37mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	329W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	79nC
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	JEDEC for Industrial Applications, RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße PG-TO-247
	Serie IPW
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 37mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 329W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen JEDEC for Industrial Applications, RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPW60R037CM8XKSA1

Ursprungsland:: CN

Die Infineon CoolMOS-Plattform der 8. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600 V CoolMOS CM8-Serie ist der Nachfolger des CoolMOS 7. Sie vereint die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit hervorragender Benutzerfreundlichkeit, z. B. geringer Klingeltendenz, integrierter schneller Body-Diode für alle Produkte mit herausragender Robustheit gegenüber harter Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen die extrem niedrigen Schalt- und Leitungsverluste des CM8 Schaltanwendungen noch effizienter.

Geeignet für harte und weiche Schalttopologien

Einfache Handhabung und schnelle Einarbeitung durch geringe Klingelneigung

Vereinfachtes Wärmemanagement dank unserer fortschrittlichen Die-Attach-Technik

Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen und Leistungsbereichen

Lösungen mit höherer Leistungsdichte durch den Einsatz von Produkten mit geringerer Stellfläche

Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 64 A 329 W, 3-Pin IPW60R037CM8XKSA1 PG-TO-247

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