Infineon IPW N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 64 A 329 W, 3-Pin PG-TO-247

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Leistungsschalt- und Wandlerfunktionen in industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem PG-TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für herkömmliche Kühlkörper- und Montageverfahren geeignet ist. Das Gerät ist für Anwendungen vorgesehen, die eine hohe Strombelastbarkeit und robuste Gate-Treiber-Eigenschaften erfordern und gleichzeitig den Industriestandards entsprechen.

• 600 V Ablassspannung für Hochspannungsschaltfähigkeit
• 64 A kontinuierlicher Ablassstrom für den Betrieb unter hoher Last
• 37 mΩ RDS(on) für reduzierte Leitungsverluste
• 329 W Verlustleistung für dauerhafte thermische Leistung
• 79 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Antriebsanforderungen

• Geeignet für Stromversorgungen und DC/DC-Wandlerstufen
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebs-Frontenden
• Wird mit Schaltnetzteilen mit mittlerer bis hoher Leistung verwendet
• Kann für industrielle Wechselrichter- und USV-Schaltkreise verwendet werden

Das Gerät weist eine typische Gate-Ladung von 79 nC auf, sodass die Treiber eine ausreichende Ladungsübertragung bei der Ziel-Schaltfrequenz gewährleisten müssen, um die gewünschten Übergangsgeschwindigkeiten zu erreichen und Schaltverluste zu minimieren.

Mit einem Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C kann es in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen eingesetzt werden und ermöglicht die Platzierung in der Nähe von Wärme erzeugenden Komponenten, wenn eine ausreichende Kühlung gewährleistet ist.

Das Durchsteckformat PG-TO-247 eignet sich für Standard-Kühlkörper und Schraubmontage

Die maximale Gate-to-Source-Nennspannung beträgt 20 V und die maximale Drain-to-Source-Nennspannung 600 V, sodass Systementwicklungen Exkursionen über diese Schwellenwerte verhindern müssen, um Gerätebelastungen zu vermeiden.