Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 80 A 329 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- RS Best.-Nr.:
- 351-925
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R022M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- 351-925
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R022M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | IMZC120 | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-U07 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 71nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 329W | |
| Durchlassspannung Vf | 5.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Breite | 16 mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Länge | 23.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie IMZC120 | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-U07 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 329W | ||
Durchlassspannung Vf 5.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Breite 16 mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Länge 23.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET 1200 V, 22 mΩ G2 im TO-247 4pin-Gehäuse mit hoher Kriechstromfestigkeit baut auf den Stärken der Generation 1-Technologie auf und bietet eine fortschrittliche Lösung für kostenoptimierte, effiziente, kompakte, einfach zu entwickelnde und zuverlässige Systeme. Er verbesserte die Leistung sowohl im hart schaltenden Betrieb als auch bei weich schaltenden Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.
Kurzschlussfestigkeitszeit 2 μs
Benchmark-Gate-Schwellenspannung 4,2 V
Robust gegen parasitäres Einschalten
Sehr geringe Schaltverluste
Engere VGS(th)-Parameterverteilung
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