Infineon IMZC120 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 480 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- RS Best.-Nr.:
- 351-922
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R012M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.24.23
Auf Lager
- 200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 24.23 |
| 10 - 99 | CHF 21.80 |
| 100 + | CHF 20.11 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-922
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R012M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 91A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 124nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 480W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 91A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 124nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 480W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon IMZC120 Serie MOSFET, 1200 V maximale Drain-Source-Spannung, 91 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IMZC120R012M2HXKSA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung und -umwandlung in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er ist für die Durchsteckmontage vorgesehen und eignet sich für Anwendungen, die eine robuste Drain-to-Source-Spannung und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit bei Betrieb in weiten Temperaturbereichen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 1200 V Drain-Toleranz ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 91 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• 12 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Maximale Verlustleistung von 480 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 124 nC gleicht die Schaltgeschwindigkeit und den Antriebsaufwand aus
• Das 4-polige PG-TO-247-4-U07-Gehäuse mit Durchgangsbohrung vereinfacht die Kühlung
• 91 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• 12 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Maximale Verlustleistung von 480 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 124 nC gleicht die Schaltgeschwindigkeit und den Antriebsaufwand aus
• Das 4-polige PG-TO-247-4-U07-Gehäuse mit Durchgangsbohrung vereinfacht die Kühlung
Anwendungsbereiche
• Geeignet für industrielle Hochspannungswechselrichter
• Ideal für Stromversorgungen in Telekommunikationsanlagen
• Wird mit Motorantrieben verwendet, die ein Hochstromschalten erfordern
• Kann für Hochspannungs-DC/DC-Wandlungsmodule verwendet werden
• Geeignet für Laborstromprüfgeräte
• Ideal für Stromversorgungen in Telekommunikationsanlagen
• Wird mit Motorantrieben verwendet, die ein Hochstromschalten erfordern
• Kann für Hochspannungs-DC/DC-Wandlungsmodule verwendet werden
• Geeignet für Laborstromprüfgeräte
Welche Gate-Drive-Bedenken sollte ich berücksichtigen?
Erwarten Sie eine typische Gate-Ladung von 124 nC bei Nenn-Vgs, also entwerfen Sie Gate-Treiber, die ausreichend Spitzenströme liefern und ableiten können, um die gewünschten Schaltübergänge ohne übermäßige Verzögerung zu erfüllen.
Wie wirkt sich das Wärmemanagement auf die Betriebszeit bei Volllast aus?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 480 W sind eine effektive Kühlkörper- und thermische Schnittstellenkonstruktion erforderlich, um die Sperrschichttemperatur bei längerem Betrieb mit hoher Leistung innerhalb der Grenzen zu halten.
Gibt es Einschränkungen bei der Betriebstemperatur?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz sowohl in Kaltstartumgebungen als auch in Umgebungen mit hohen Temperaturen, wenn ein entsprechendes thermisches Design angewendet wird.
Welche Befestigungsmethode ist für eine optimale Leistung erforderlich?
Sie ist für die Durchsteckmontage im 4-poligen Format PG-TO-247-4-U07 vorgesehen und ermöglicht die direkte Befestigung an einem Kühlkörper oder Chassis für eine verbesserte Wärmeleitung.
Verwandte Links
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 69 A 382 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 49 A 289 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 55 A 244 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 27 A 182 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 20 A 143 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 34 A 218 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 80 A 329 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 547 W, 4-Pin Hip-247
