Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 480 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- RS Best.-Nr.:
- 351-922
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R012M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.40.614
Auf Lager
- 240 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.40.61 |
| 10 - 99 | CHF.36.54 |
| 100 + | CHF.33.70 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-922
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R012M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 91A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 124nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 480W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 91A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 124nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 480W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET 1200 V, 12 mΩ G2 im TO-247 4pin-Gehäuse mit hoher Kriechstromfestigkeit baut auf den Stärken der Generation 1-Technologie auf und bietet eine fortschrittliche Lösung für kostenoptimierte, effiziente, kompakte, einfach zu entwickelnde und zuverlässige Systeme. Er verbesserte die Leistung sowohl im hart schaltenden Betrieb als auch bei weich schaltenden Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.
Kurzschlussfestigkeitszeit 2 μs
Benchmark-Gate-Schwellenspannung 4,2 V
Robust gegen parasitäres Einschalten
Sehr geringe Schaltverluste
Engere VGS(th)-Parameterverteilung
Verwandte Links
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 20 A 143 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 34 A 218 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 69 A 382 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 55 A 244 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 80 A 329 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 49 A 289 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 27 A 182 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 547 W, 4-Pin Hip-247