Infineon IMZC120 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 27 A 182 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07

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RS Best.-Nr.:
351-931
Herst. Teile-Nr.:
IMZC120R053M2HXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

27A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Gehäusegröße

PG-TO-247-4-U07

Serie

IMZC120

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

53mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Maximale Verlustleistung Pd

182W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-10V, 25V

Durchlassspannung Vf

5.5V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Länge

23.5mm

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Breite

16mm

Automobilstandard

Nein

Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET mit High-Creepage-Gehäuse baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie auf und bietet eine fortschrittliche Lösung für kostenoptimierte, effiziente, kompakte, einfach zu entwickelnde und zuverlässige Systeme. Er verbesserte die Leistung sowohl im hart schaltenden Betrieb als auch bei weich schaltenden Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.

Bessere Energieeffizienz

Optimierung der Kühlung

Höhere Leistungsdichte

Neue Robustheitsmerkmale

Sehr zuverlässig

Einfache Parallelisierung

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