Infineon IMZC120 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 55 A 244 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- RS Best.-Nr.:
- 351-928
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R034M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.11.403
Auf Lager
- 240 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 11.40 |
| 10 - 99 | CHF 10.25 |
| 100 + | CHF 9.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-928
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R034M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 89mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 244W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 23.1mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Breite | 15.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 89mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 244W | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 23.1mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Breite 15.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie IMZC120 von Infineon, 244 W maximale Verlustleistung, 1200 V maximale Drain-Source-Spannung – IMZC120R034M2HXKSA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor für die Leistungsumwandlung und -steuerung in anspruchsvollen industriellen Umgebungen. Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät im Enhancement-Modus, das für hohe Drain-Source-Spannungen und erheblichen Dauerstrom ausgelegt ist, wodurch es sich für Rollen eignet, bei denen eine robuste Hochspannungsschaltung und thermische Beständigkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 1200 V Vds ermöglicht die Nutzung von Hochspannungssystemen
• 55 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt schwere Schaltvorgänge
• 89 mΩ Rds(on) senken die Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 244 W ermöglicht einen dauerhaften thermischen Durchsatz
• Die typische Gate-Ladung von 45 nC verbessert die Schaltgeschwindigkeitssteuerung
• 55 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt schwere Schaltvorgänge
• 89 mΩ Rds(on) senken die Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 244 W ermöglicht einen dauerhaften thermischen Durchsatz
• Die typische Gate-Ladung von 45 nC verbessert die Schaltgeschwindigkeitssteuerung
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Hochspannungswechselrichterstufen in industriellen Antrieben
• Ideal für Stromversorgungen, die ein Hochspannungsschalten erfordern
• Einsatz mit großen Motorsteuerungen, die hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Kann für hart schaltende Topologien in Wandlern verwendet werden
• Ideal für Stromversorgungen, die ein Hochspannungsschalten erfordern
• Einsatz mit großen Motorsteuerungen, die hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Kann für hart schaltende Topologien in Wandlern verwendet werden
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird für die Montage verwendet?
Er wird in einem PG-TO-247-4-U07-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage konfiguriert ist, um eine sichere Leiterplattenbefestigung und eine robuste thermische Verbindung mit Kühlkörpern zu ermöglichen.
Welchen Temperaturbereich verträgt er während des Betriebs?
Er arbeitet in einem breiten Bereich von -55 °C bis 200 °C und ermöglicht den Einsatz unter extremen thermischen Bedingungen und erhöhten Sperrschichttemperaturen.
Wie viele Stifte sind vorhanden, und was bedeutet das elektrisch?
Das Gerät verfügt über vier Pins, die Gate-, Drain- und Dual-Source- oder Tab-Anordnungen aufnehmen, die typisch für Leistungs-MOSFET-Gehäuse sind, um eine flexible Schaltungsintegration zu ermöglichen.
Welche Tests nach Industriestandard gelten für die Qualifizierung?
Er entspricht den JEDEC47/20/22-Normen, was die Einhaltung der festgelegten thermischen und mechanischen Zuverlässigkeitsprüfprotokolle anzeigt.
Verwandte Links
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 480 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 69 A 382 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 49 A 289 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 27 A 182 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 20 A 143 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 34 A 218 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 80 A 329 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 70 A 273 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U02