Infineon IPW, Durchsteckmontage MOSFET 650 V / 13 A 106 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 273-7473
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R105CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 273-7473
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R105CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 105mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 106W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC47/20/22 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 105mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 106W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC47/20/22 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons MOSFET hat den höchsten Wirkungsgrad bei hervorragender Benutzerfreundlichkeit. Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine hervorragende Robustheit bei harter Kommutierung und höchste Zuverlässigkeit für Resonanztopologien aus. Das Produkt ist für weiche Schalttopologien geeignet.
Niedrige Gate-Ladung
Ultraschnelle Body-Diode
Klassenbeste Reverse-Recovery-Ladung
Ermöglicht eine Lösung mit erhöhter Leistungsdichte
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